硅片的熱氧化層是在有氧化劑的高溫條件下在硅片的裸片表面形成的氧化層或者二氧化硅層。硅片的熱氧化層通常在水平管式爐中生長而成，生長溫度范圍一般為900℃~1200℃，有“濕法氧化”和“干法氧化”兩種生長方式。熱氧化層是一種“生長”而成的氧化物層，相較于CVD沉積的氧化層，它具有更高的均勻性和更高的介電強度。熱氧化層是作為絕緣體的優(yōu)異的介電層，在眾多硅基器件中，熱氧化物層在作為摻雜阻止層和表面電介質(zhì)方面起著重要作用。

    我公司提供2“~12”高質(zhì)量的熱氧化硅片，與我們合作的生廠商均選用優(yōu)質(zhì)、無缺陷的產(chǎn)品級硅片作為基底來生長高均勻性的熱氧化層。以滿足超越客戶期望的性能。

    采用常規(guī)熱氧化工藝后，硅片的雙面均有氧化層；如果只需單面氧化層，我們可采用研磨的辦法去除一面氧化層而僅保留單面氧化層供貨！

● 氧化層厚度均勻

● 平整度好

● 翹曲度小 

● 尺寸公差小

● 表面無光滑無瑕疵