超高阻區(qū)熔硅單晶（FZ-Silicon）

通過區(qū)熔工藝拉制的低雜質(zhì)含量、低缺陷密度，晶格結構完美的硅單晶，晶體生長過程中不引入任何雜質(zhì)，其電阻率通常在1000Ω?cm 以上，主要用于制作高反壓器件和光電子器件。

中子輻照區(qū)熔硅單晶（NTDFZ-Silicon）

區(qū)熔硅單晶通過中子輻照可獲得高電阻率均勻性的硅單晶，保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶體管（GTR）、晶閘管（GRO）、靜電感應晶閘管（SITH）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、超高壓二極管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等，是各類變頻器、整流器、大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料，也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。

氣相摻雜區(qū)熔硅單晶（GDFZ-Silicon）

利用雜質(zhì)的擴散機理，在用區(qū)熔工藝拉制硅單晶的過程中加入氣相雜質(zhì)，從根本上解決了區(qū)熔工藝摻雜困難的問題，可得到N型或P型、電阻率范圍0.001-300Ω.cm，電阻率均勻性與中子輻照相當?shù)臍鈸焦鑶尉В潆娮杪试谶m用于制作各類半導體功率器件、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、高效太陽能電池等。

直拉區(qū)熔硅單晶（CFZ-Silicon）

采用直拉與區(qū)熔兩種工藝相結合的方式拉制硅單晶，產(chǎn)品質(zhì)量介于直拉單晶和區(qū)熔單晶之間?？蓳饺胩厥庠乩珂墸℅a）、鍺（Ge）等。采用直拉區(qū)熔法制備的新一代CFZ太陽能硅片，其各項性能指標均遠優(yōu)于當前全球光伏產(chǎn)業(yè)使用的各類硅片，太陽能電池轉(zhuǎn)換效率高達24-26%。產(chǎn)品主要應用于特殊結構、背接觸、HIT等特殊工藝制作的高效太陽能電池上，并更為廣泛的用于LED、功率器件、汽車、衛(wèi)星等眾多產(chǎn)品和領域中。