通過區(qū)熔法拉制的硅單晶,純度高,達(dá)到11N,少子壽命高,氧碳含量低,無缺陷,晶格結(jié)構(gòu)完美。晶體生長過程中不引入任何雜質(zhì),其電阻率范圍通常在2000-8000Ω. cm 和≥10000Ω. cm 以上,主要用于制作高反壓器件和光電子器件。
中子輻照區(qū)熔硅單晶( NTDFZ - Silicon ):
本征區(qū)熔單晶通過中子輻照可獲得較好的電阻率均勻性的硅單晶,保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器( SR )、( SCR )、( GTR )、( GTO )、靜電感應(yīng)晶閘管( SITH )、絕緣柵雙極晶體管( IGBT )、超高壓二極管( PIN )、( SMART POWER )、( POWER IC )、變頻器、整流器,是各類大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料,也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。
氣相摻雜區(qū)熔硅單晶( GDFZ - Silicon ):
由于中子輻照區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)周期較長,成本較高,我們利用雜質(zhì)擴(kuò)散原理在拉制區(qū)熔硅單晶的過程中加入氣相雜質(zhì),可得到指定的電導(dǎo)型號和指定范圍的電阻率,氣摻硅單晶電阻率均勻性與中子輻照相近。氣摻單晶的優(yōu)點(diǎn)是直徑大,成本低,制造周期短。其電阻率范圍0.1-20000Ω. cm ,少子壽命≥800us,徑向電阻率不均勻性≤30%,適用于制作各類半導(dǎo)體功率器件、絕緣柵雙極晶體管( IGBT )、高效太陽能電池等。