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產(chǎn)品展示

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區(qū)熔硅單晶硅片

    詳細(xì)說明

    產(chǎn)品類別Product category 

    本征及超高阻區(qū)熔硅單晶( FZ - Silicon ):
        通過區(qū)熔法拉制的硅單晶,純度高,達(dá)到11N,少子壽命高,氧碳含量低,無缺陷,晶格結(jié)構(gòu)完美。晶體生長過程中不引入任何雜質(zhì),其電阻率范圍通常在2000-8000Ω. cm 和≥10000Ω. cm 以上,主要用于制作高反壓器件和光電子器件。

    中子輻照區(qū)熔硅單晶( NTDFZ - Silicon ):
        本征區(qū)熔單晶通過中子輻照可獲得較好的電阻率均勻性的硅單晶,保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器( SR )、( SCR )、( GTR )、( GTO )、靜電感應(yīng)晶閘管( SITH )、絕緣柵雙極晶體管( IGBT )、超高壓二極管( PIN )、( SMART POWER )、( POWER IC )、變頻器、整流器,是各類大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料,也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。

    氣相摻雜區(qū)熔硅單晶( GDFZ - Silicon ):
        由于中子輻照區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)周期較長,成本較高,我們利用雜質(zhì)擴(kuò)散原理在拉制區(qū)熔硅單晶的過程中加入氣相雜質(zhì),可得到指定的電導(dǎo)型號和指定范圍的電阻率,氣摻硅單晶電阻率均勻性與中子輻照相近。氣摻單晶的優(yōu)點(diǎn)是直徑大,成本低,制造周期短。其電阻率范圍0.1-20000Ω. cm ,少子壽命≥800us,徑向電阻率不均勻性≤30%,適用于制作各類半導(dǎo)體功率器件、絕緣柵雙極晶體管( IGBT )、高效太陽能電池等。

    區(qū)熔直拉硅單晶( FCZ - Silicon ):
        采用區(qū)熔與直拉兩種工藝相結(jié)合的方式拉制出的硅單晶,其產(chǎn)品質(zhì)量介于直拉硅單晶和區(qū)熔硅單晶之間,是直拉硅單晶完美替換品??商岣弋a(chǎn)品品質(zhì),使用簡單。非常適合代替直拉硅單晶作為原料生產(chǎn)二極管、三極管、肖特基等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,還可以應(yīng)用于特殊工藝制作的高效太陽能電池上,提高轉(zhuǎn)換效率,可達(dá)到23%-26.5%。